ルミネッセンス観測法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-097672
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294506
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】半導体エピタキシャル多層膜中のデルタ関数状ドーピング層に対する直接の品質評価法、特に該ドープ層からのルミネッセンスピークを増強して簡単かつ明確に検出する方法を提供すること。【解決手段】デルタ関数状ドーピング層3を内部に含むバリヤ層1に重ねてキャップ層2を形成することによって、正孔からみた場合のポテンシャルの谷を形成し、ルミネッセンスの励起光で誘起された正孔をその谷に安定に存在させ、その正孔と、ドーピング層3に存在する電子との結合によるルミネッセンスを、好ましくは液体窒素温度において観測する。

請求項（抜粋）：

半導体エピタキシャル多層膜中のデルタ関数状ドーピング層からの第1のキャリアと結合する、励起により生ずる第2のキャリアを、該デルタ関数状ドーピング層もしくは該デルタ関数状ドーピング層近傍に安定に存在させ、該第1のキャリアと該第2のキャリアとの結合による発光を増強して観測することを特徴とするルミネッセンス観測法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/66 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/66 X , H01L 29/80 H

Fターム (12件)：

4M106AA07 , 4M106AA10 , 4M106AB01 , 4M106CA18 , 4M106DH45 , 5F052KA01 , 5F102FA09 , 5F102GB01 , 5F102GJ06 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL20

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