特許
J-GLOBAL ID：200903064196170816
半導体ディスク装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-095125
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302175
出願日： 1994年05月09日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】【目的】フラッシュEEPROMの記憶データの信頼性の向上を図る。【構成】ECC演算回路21は、プロセッサ14によってデータバッファ131から256バイト単位で転送されるデータ列を演算し、そのデータ列に対応するECCを生成する。256バイトのデータ列には生成されたECCが付加されて、フラッシュEEPROMのデータレジスタ112に転送される。このため、たとえフラッシュEEPROMの複数ページそれぞれの同一ビット位置に不良セルが発生しても、ECC演算の対象となるデータ列に含まれる不良セルは1つだけとなる。したがって、データ回復能力の高い複雑なECC演算式を利用することなく通常の簡単なECC演算によってエラー検出および訂正を行うことが可能となり、記憶信頼性が高く、且つ高速アクセスが可能な半導体ディスク装置10が実現される。
請求項（抜粋）：
データ記憶領域および冗長領域を各々が含む複数のページを有するメモリセルアレイと、1ページ分のデータを保持するデータレジスタとを有し、データレジスタとメモリセルアレイ間のデータ転送がページ単位で実行されるフラッシュEEPROMを内蔵し、ホスト装置からのディスクアクセス要求に応じて前記フラッシュEEPROMをアクセスする半導体ディスク装置において、前記ホスト装置から転送されるライトデータおよび前記フラッシュEEPROMから読み出されたリードデータを格納するデータバッファと、前記ホスト装置からのライト要求に応答して、前記フラッシュEEPROMをライトアクセスするライトアクセス手段とを具備し、このライトアクセス手段は、前記データバッファに格納されているライトデータを前記各ページのデータ記憶領域のサイズに相当するデータ列単位で演算して、データ列毎に誤り訂正符号を生成する誤り訂正符号生成手段と、前記データ列およびそれに対応する誤り訂正符号が同一ページのデータ記憶領域および冗長領域に書き込まれるように、データ列毎にそれに対応する誤り訂正符号を付加して前記フラッシュEEPROMのデータレジスタに転送する手段とを含むことを特徴とする半導体ティスク装置。
IPC (4件)：
G06F 3/08
, G06F 3/06 305
, G06F 12/16 320
, G11C 16/06
