特許

J-GLOBAL ID：200903064196630108

半導体装置の製造方法

発明者： 安藤 秀泰
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256960
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112123
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 ガスソースMBE法を用いたIII-V族化合物半導体の製造方法に関し、カーボンのドープ源となるIII族元素を用いて高濃度カーボンドープp型層を成長させた後、カーボンのメモリ効果を極力抑制して次層のドーピングレベルを制御できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 カーボンのドープ源となる第1のIII族元素の有機化合物をIII族元素ソースとして用いてカーボンドープのp型III-V族化合物半導体層を成長させるカーボンドープ成長工程と、その後、カーボンのドープ源となり難い第2のIII族元素の有機化合物のみをIII族元素ソースとして用い、前記第1のIII族元素の有機化合物が容易には分解しにくい成長温度で、V族元素のモル供給率とIII族元素のモル供給率の比、V/III比、を10以上としてカーボン含有量の低いIII-V族化合物半導体層を成長させるカーボンノンドープ成長工程とを含む。

請求項（抜粋）：

カーボンのドープ源となる第1のIII族元素の有機化合物をIII族元素ソースとして用いてカーボンドープのp型III-V族化合物半導体層を成長させるカーボンドープ成長工程と、その後、カーボンのドープ源となり難い第2のIII族元素の有機化合物のみをIII族元素ソースとして用い、前記第1のIII族元素の有機化合物が容易には分解しにくい成長温度で、V族元素のモル供給率とIII族元素のモル供給率の比、V/III比、を10以上としてカーボン含有量の低いIII-V族化合物半導体層を成長させるカーボンノンドープ成長工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73