特許

J-GLOBAL ID：200903064201988091

フルオロビフェニル誘導体の製造方法

発明者： 大澤 政志 ,  竹原 貞夫 ,  高津 晴義
出願人/特許権者： 大日本インキ化学工業株式会社
代理人 (1件)： 高橋 勝利
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-322047
公開番号（公開出願番号）：特開平7-179374
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1995年07月18日
要約：

【要約】【構成】 一般式(I)【化1】(R:C1〜16のアルキル、C2〜16のアルケニル又はC2〜16のアルコキシアルキル、J及びK:-CH2CH2-又は単結合、n:0又は1、X及びY:H又はF、Z:F、CF3、OCF3又はOCF2H)で表わされる化合物の製造方法。【効果】 この製造方法を用いて、一般式(I)の化合物を容易に且つ高収率に製造することができる。この一般式(I)の化合物は誘電率異方性が大きく、しきい値電圧を低下効果が大きく、高い電圧保持率を得ることも可能である。従って、本発明の製造方法は、ワープロやノートパソコン、液晶テレビなど低電圧駆動を重視するアクティブマトリックス駆動用の液晶材料の製造方法として極めて有用である。

請求項（抜粋）：

一般式(II)【化1】(式中、Rは炭素原子数1から16のアルキル基、炭素原子数2から16のアルケニル基又は炭素原子数2から16のアルコキシアルキル基を表わし、J及びKはそれぞれ独立的に、-CH2CH2-又は単結合を表わし、nは0又は1を表わし、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。)で表わされる化合物と、一般式(III)【化2】(式中、MはMgBr、MgCl、MgI又はLiを表わし、X及びYはそれぞれ独立的に、水素原子又はフッ素原子を表わし、Zはフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又はジフルオロメトキシ基を表わす。)で表わされる化合物とを、触媒の存在下に反応させることを特徴とする一般式(I)【化3】(式中、Rは炭素原子数1から16のアルキル基、炭素原子数2から16のアルケニル基又は炭素原子数2から16のアルコキシアルキル基を表わし、J及びKはそれぞれ独立的に、-CH2CH2-又は単結合を表わし、nは0又は1を表わし、X及びYはそれぞれ独立的に、水素原子又はフッ素原子を表わし、Zはフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又はジフルオロメトキシ基を表わし、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。)で表わされる化合物の製造方法。

IPC (8件)：

C07C 25/18 ,  B01J 31/16 ,  C07C 17/263 ,  C07C 41/30 ,  C07C 43/225 ,  C09K 19/30 ,  G02F 1/13 500 ,  C07B 61/00 300