特許
J-GLOBAL ID：200903064204327240
半導体ウェーハの研削方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
板垣 孝夫
, 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-120954
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303214
出願日： 2004年04月16日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】 半導体ウェーハの厚みばらつきを低減できる研削方法を提供する。【解決手段】 複数の半導体素子からなる集積回路層1が表面に形成された半導体ウェーハ2の裏面を研削して半導体ウェーハ2の厚みを均一にする際に、半導体ウェーハ2の表面を覆って前記半導体素子を構成している集積回路や金属バンプを保護する保護膜11を液状の樹脂材料により形成する工程と、前記保護膜11の表面を研削して平坦化する工程と、前記平坦化された保護膜11の表面をチャックテーブル4上に接触保持して半導体ウェーハ2の裏面を研削砥石5で研削し、研削終了後に保護膜11を除去する工程とを行う。半導体ウェーハ2の表面の半導体素子を、従来のように保護テープを貼着するのでなく液状の樹脂材料で保護膜11を形成して保護し、この保護膜11の表面を半導体ウェーハ2の裏面研削に先立って研削して平坦化しておくという容易な方法で、半導体ウェーハ2の厚み均一性を大きく向上させることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子が表面に形成された半導体ウェーハの裏面を研削して前記半導体ウェーハの厚みを均一にする半導体ウェーハの研削方法であって、
前記半導体ウェーハの表面を覆って前記半導体素子を構成している集積回路や金属バンプを保護する保護膜を液状の樹脂材料により形成する工程と、
前記保護膜の表面を研削して平坦化する工程と、
前記平坦化された保護膜の表面をステージ上に接触保持して前記半導体ウェーハの裏面を研削し、研削終了後に保護膜を除去する工程と
を行う半導体ウェーハの研削方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/304 631
, H01L21/304 622J
, H01L21/304 622X
