特許
J-GLOBAL ID：200903064204914773
半導体装置の製造方法および半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-026794
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222564
出願日： 1995年02月15日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、コンタクトホールに配線材料を良好に埋め込むことである。【構成】 本発明の半導体製造装置は、コンタクトホールを有する絶縁層を備えた基板を用意する工程と、該コンタクトホールを覆って配線材料を製膜する工程と、さらに該基板を該配線材料が流動化する温度以上に加熱するとともに、コンタクトホールの深さ方向に遠心力が発生するように、該基板を回転する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
導電領域を有する基板を用意する工程と、前記導電領域上にコンタクトホールを有する絶縁体層を基板上に形成する工程と、該コンタクトホールを覆って配線材料を製膜する工程と、さらに、該基板を該配線材料が流動化する温度以上に加熱するとともに、該コンタクトホールの開口部から底部に向かう遠心力が発生する方向に該基板を回転する埋め込み工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
, H01L 21/31
, H01L 21/768
H01L 21/88 K
, H01L 21/28 301 L
, H01L 21/31 D
, H01L 21/90 D
