微小特徴部位において欠陥を減少させたシリコン又はシリコンゲルマニウムの堆積

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-002743
公開番号（公開出願番号）：特開2008-198996
出願日： 2008年01月10日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：

【課題】先端半導体素子用の、複雑な微小特徴部位形状及びプロファイルを、ボイドが発生しないように満たすために欠陥を減少させる新たなSi及びSiGeプロセスを提供する。【解決手段】微小特徴部位の底部にSi又はSiGeシード層を形成する工程、及びそのSi又はSiGeシード層上にSi又はSiGeを選択成長することによって、下から上へ、少なくとも部分的に微小特徴部位を満たす工程を有する。一の実施例に従うと、Si又はSiGeシード層は、パターニングされた基板上に等角性Si又はSiGe層を堆積する堆積し、フィールド領域からSi又はSiGe層を除去し、Si又はSiGe層の少なくとも一部をその微小特徴部位の側壁から底部へ移動させるように、H2ガスの存在下でそのSi又はSiGe層を熱処理する熱処理し、かつ、そのフィールド領域及びその側壁からSi又はSiGe残余物をエッチングすることによって形成される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

フィールド領域、並びに、側壁及び底部を有する凹形状の微小特徴部位を含むパターニングされた基板を供する基板提供工程; 前記微小特徴部位の側壁及び底部上、並びに前記フィールド領域上に絶縁層を供する絶縁層提供工程; 前記微小特徴部位の底部にSi又はSiGeシード層を形成するシード層形成工程;及び前記Si又はSiGeシード層上にSi又はSiGeを選択成長することによって、下から上へ、少なくとも部分的に前記微小特徴部位を満たす部分充填工程; を有する基板処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 , H01L 21/28 , H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/20 , H01L 21/205

FI (5件)：

H01L21/285 C , H01L21/28 301A , H01L27/12 E , H01L21/20 , H01L21/205

Fターム (31件)：

4M104BB01 , 4M104BB36 , 4M104DD43 , 4M104DD47 , 4M104FF21 , 4M104GG19 , 4M104HH13 , 4M104HH20 , 5F045AA06 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AF08 , 5F045DA61 , 5F045DB09 , 5F045GH03 , 5F045GH06 , 5F045HA06 , 5F045HA16 , 5F152LL03 , 5F152LM03 , 5F152LM08 , 5F152MM20 , 5F152NN03 , 5F152NN04 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許出願第11/035730号明細書

審査官引用 (6件)

特開平1-148787
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-397174 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開昭61-255027

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