特許

J-GLOBAL ID：200903064205836504

半導体処理装置

発明者： 古川 長樹 ,  小野 洋子
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-072243
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267248
出願日： 2000年03月15日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ウエハ上に材料ガスを集中的に送り、よって均一な膜を形成するとともに、膜付着量の低減、材料ガスの低減を課題とする。【解決手段】反応容器11と、この反応容器11内に配置され、ウエハ14を支持する支持部材15と、前記反応容器11内にガスを導入する複数のガス導入管13a〜13dと、前記反応容器11内を排気する排気管19とを具備し、前記反応容器11内に、ウエハ14に供給する材料ガス又は反応性ガスとウエハ14の周囲に供給する不活性ガスとを独立に制御する仕切部材12を設けたことを特徴とする半導体処理装置。

請求項（抜粋）：

反応容器と、この反応容器内に配置され、被処理物を支持する支持部材と、前記反応容器内にガスを導入する複数のガス導入口と、前記反応容器内を排気する排気手段とを具備し、前記反応容器内に、被処理物に供給する材料ガス又は反応性ガスと被処理物の周囲に供給する不活性ガスとを独立に制御するガス制御手段を設けたことを特徴とする半導体処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/302 B

Fターム (17件)：

4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030GA01 ,  4K030KA24 ,  5F004AA01 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004DA25 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ11 ,  5F045EE14 ,  5F045EE20 ,  5F045EF05 ,  5F045EF15