特許
J-GLOBAL ID：200903064208213427
半導体不揮発性記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-340060
公開番号（公開出願番号）：特開平10-188577
出願日： 1996年12月19日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】制御系回路を小面積化でき、特性、信頼性をデータ用セルと同様にでき、ロックビットセルの形成が容易に行える半導体不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】メモリアレイ11a内にブロック単位への書き込み/消去を許可するか禁止するかを示すデータが書き込みまれるロックビットセルLMTを消去ブロック単位で対応して形成し、アドレス指定されたブロックに対して書き込み禁止命令を受けた場合に、当該ブロックに対応するロックビットセルに対して書き込み/消去禁止データを書き込み、メモリセルへの書き込みまたは消去命令を受けた場合、アドレス指定された記憶ブロックに対応したロックビットセルのデータを読み出し、読み出しデータが書き込み/消去を禁止するデータの場合には書き込み動作を抑止し、書き込み/消去を許可するデータの場合には書き込み動作を行う書き込み/消去制御回路21aを設ける。
請求項（抜粋）：
複数のデータ記憶用メモリセルがマトリクス状に配置されたメモリアレイを有し、上記メモリアレイへのデータの書き込みおよび消去をブロック単位で行う半導体不揮発性記憶装置であって、上記メモリアレイ内に消去ブロック単位で対応して形成され、当該ブロック単位への書き込み/消去を許可するか禁止するかを示すデータが書き込みまれる書き込み/消去禁止用メモリセルと、上記アドレス指定されたブロックに対して書き込み/消去禁止命令を受けた場合に、当該ブロックに対応する上記書き込み/消去禁止用メモリセルに対して書き込み/消去禁止データを書き込む制御手段とを有する半導体不揮発性記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 612 F
, G11C 17/00 601 P
