特許

J-GLOBAL ID：200903064227095338

金属酸窒化膜の製造方法および絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 長岡 弘二郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-008335
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209110
出願日： 2002年01月17日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 ホウ素の突き抜けを抑止するゲート絶縁膜材料となる金属酸窒化膜を提供し、その製造方法によりゲート絶縁膜を形成することにより絶縁ゲート型電界効果トランジスタの性能の向上を図る。【解決手段】 ALD法を用いて、「金属元素を含む第1反応物の導入」03により、金属元素を含む第1反応物を導入して基板上に金属元素を化学吸着させて金属の層を形成し、その後に「酸素を含む第3反応物の導入」05酸素を含む第2反応物を導入して基板に吸着した第1反応物と反応させて酸素の層を形成する工程と、「金属元素を含む第1反応物の導入」07により、金属元素を含む第1反応物を導入して金属元素を化学吸着させて金属の層を形成し、その後に「窒素を含む第3反応物の導入」09により窒素を含む第3反応物を導入して吸着した第1反応物と反応させて窒素の層を形成する工程とを行う。

請求項（抜粋）：

ALD(Atomic Layer Deposition)法を用いて、金属の層を形成してその後に酸素の層を形成する工程と、金属の層を形成してその後に窒素の層を形成する工程とを行うことを特徴とする金属酸窒化膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/316 C ,  H01L 21/316 M ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (17件)：

5F058BA05 ,  5F058BD02 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BF01 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AA28 ,  5F140AC01 ,  5F140BD04 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04