特許
J-GLOBAL ID:200903064231034467

純水製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 内山 充
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-360117
公開番号(公開出願番号):特開平11-188359
出願日: 1997年12月26日
公開日(公表日): 1999年07月13日
要約:
【要約】【課題】半導体製造などの電子産業分野、あるいはその関連分野などで用いられる、ホウ素濃度を低減した純水の製造において、電気脱イオン装置におけるホウ素除去率を飛躍的に高めることができる純水製造装置を提供する。【解決手段】(A)ホウ素含有水にアルカリを添加してpHを9.2以上に調整するアルカリ添加装置、(B)pHの調整されたホウ素含有水が通水される耐アルカリ性逆浸透膜装置及び(C)耐アルカリ性逆浸透膜装置の透過水が通水される電気脱イオン装置を有することを特徴とする純水製造装置、並びに、(D)ホウ素含有水が通水される逆浸透膜装置、(E)逆浸透膜装置の透過水にアルカリを添加してpHを9.2以上に調整するアルカリ添加装置、(F)pHの調整された逆浸透膜装置の透過水が通水される電気脱イオン装置を有することを特徴とする純水製造装置。
請求項(抜粋):
(A)ホウ素含有水にアルカリを添加してpHを9.2以上に調整するアルカリ添加装置、(B)pHの調整されたホウ素含有水が通水される耐アルカリ性逆浸透膜装置及び(C)耐アルカリ性逆浸透膜装置の透過水が通水される電気脱イオン装置を有することを特徴とする純水製造装置。
IPC (4件):
C02F 1/44 ,  B01D 61/48 ,  C02F 1/469 ,  C02F 1/58
FI (4件):
C02F 1/44 J ,  B01D 61/48 ,  C02F 1/58 H ,  C02F 1/46 103
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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