特許

J-GLOBAL ID：200903064231908327

半導体レーザ装置及びその作製方法

発明者： 成井 啓修
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-223574
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053373
出願日： 1999年08月06日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 2個の半導体レーザ素子を有し、しかも、光検出器を別途設ける必要のないような構成を備えた半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 本半導体レーザ装置10は、相互に波長の異なる2つの半導体レーザ素子及び反射鏡がモノリシックに構成されており、ヒートシンク12上に相互に近接して配置された、発光波長650nmのレーザ光を出射する、AlGaInP系の第1の半導体レーザ素子14及び第1の半導体レーザ素子14と同じ方向に発光波長780nmのレーザ光を出射する、AlGaAs系の第2の半導体レーザ素子16と、第1の半導体レーザ素子14のリヤ側に設けられた第1の反射鏡18と、第2の半導体レーザ素子16のリヤ側に設けられた第2の反射鏡20とを備えている。第1及び第2の半導体レーザ素子は、相互に他方の光検出器として機能する。

請求項（抜粋）：

第1の半導体レーザ素子と、第1の半導体レーザ素子と同じ方向にレーザ光を出射する第2の半導体レーザ素子とを備えた半導体レーザ装置において、第1の半導体レーザ素子のリヤ側に設けられた第1の反射鏡と、第2の半導体レーザ素子のリヤ側に設けられた第2の反射鏡とを備え、第1の反射鏡と第2の反射鏡とは、第1の半導体レーザ素子のリヤ側から出射したレーザ光を第1の反射鏡及び第2の反射鏡を経由して第2の半導体レーザ素子のリヤ側に入射させるように、逆に、第2の半導体レーザ素子のリヤ側から出射したレーザ光を第2の反射鏡及び第1の反射鏡を経由して第1の半導体レーザ素子のリヤ側に入射させるように、配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

Fターム (9件)：

5F073AB06 ,  5F073AB13 ,  5F073AB29 ,  5F073BA05 ,  5F073CA05 ,  5F073CA14 ,  5F073DA14 ,  5F073DA31 ,  5F073DA35