特許

J-GLOBAL ID：200903064235227782

高分子基材へのプラズマCVDによる薄膜形成方法及び装置

発明者： 畑中 義式 ,  中西 洋一郎 ,  スニル・ウイクラマナヤカ ,  佐野 慶一郎 ,  野村 雅也 ,  林 成和
出願人/特許権者： スズキ株式会社
代理人 (1件)： 奥山 尚男 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-052580
公開番号（公開出願番号）：特開平9-221559
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 高品質膜の低温堆積が可能なECRプラズマCVD技術を利用して、プラステイック表面に透明なSiO2 膜を薄く堆積させ、意匠性を損なうことなしに表面硬度を向上させる。【解決手段】 プラズマ発生室の周囲に配置した磁気コイルによって、プラズマ発生室内に磁界を印加し、マイクロ波をプラズマ発生室に導入し、アップストリームガスをプラズマ発生室内に導入してECRプラズマを発生させ、ダウンストリームに原料を気化させて供給ガスを発生し、その供給ガスを導入口から供給し、さらに、該導入口と高分子基材との間又は上記プラズマ発生室と上記導入口との間に設置したメッシュに上記ECRプラズマを通過させ、これによって高分子基材表面にSiO2 膜を堆積するようにした。

請求項（抜粋）：

高分子基材へのプラズマCVDによる薄膜形成方法において、プラズマ発生室の周囲に配置した磁気コイルによって、プラズマ発生室内に磁界を印加し、マイクロ波をプラズマ発生室に導入し、アップストリームガスをプラズマ発生室内に導入してECRプラズマを発生させ、ダウンストリームに原料を気化させて供給ガスを発生し、その供給ガスを導入口から供給し、さらに、該導入口と高分子基材との間又は上記プラズマ発生室と上記導入口との間に設置したメッシュに上記ECRプラズマを通過させ、これによって高分子基材表面にSiO2 膜を堆積するようにしてなることを特徴とする高分子基材へのプラズマCVDによる薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C08J 7/18 CES ,  C08J 7/00 306 ,  C08J 7/06 CES

FI (3件)：

C08J 7/18 CES ,  C08J 7/00 306 ,  C08J 7/06 CES Z