特許
J-GLOBAL ID：200903064239826753
薄膜作成方法と薄膜作成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-166407
公開番号（公開出願番号）：特開平6-010119
出願日： 1992年06月24日
公開日（公表日）： 1994年01月18日
要約：
【要約】【目的】 ターゲットに励起光を照射して薄膜を作成する薄膜作成方法および薄膜作成装置に関し、大面積の表面上に均一な膜厚を有し、かつ膜厚を精度よく制御した薄膜を成長することのできる薄膜作成方法および薄膜成長装置を提供することを目的とする。【構成】 ターゲットに対向して薄膜成長用下地基板を配置する工程と、前記ターゲットにシンクロトロン放射光を照射して、ターゲット物質のアブレーションを生じさせる工程とを含む。
請求項（抜粋）：
ターゲットに対向して薄膜成長用下地基板を配置する工程と、前記ターゲットにシンクロトロン放射光を照射して、ターゲット物質のアブレーションを生じさせる工程とを含む薄膜作成方法。
引用特許：
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