特許
J-GLOBAL ID：200903064240461912

薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法

発明者：
來漢中

來漢中 について


出願人/特許権者：
達碁科技股▲ふん▼有限公司

達碁科技股▲ふん▼有限公司 について


代理人 (1件)： 久保田 耕平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-025982
公開番号（公開出願番号）：特開2003-228082
出願日： 2002年02月01日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】 粗い表面の画素電極を具え、入射光線の反射効率が高く、かつ反射光線の反射角度及び方向を調整できる薄膜トランシ ゙スタ液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】 透明絶縁基板に形成した第1金属層に対して第1マイクロフォトエッチンク ゙(MPE)を行ない、ケ ゙ート電極構造及び第1傾斜面側辺と第2傾斜面側辺を有する尾根状フ ゙ロックとを形成し、第1絶縁層を形成してこれらの表面を被覆し、該第1絶縁層の表面に半導体層のハ ゚ターンを形成して薄膜トランシ ゙スタのチャネルエリアとする。また、該半導体層と第1絶縁層の表面を第2絶縁層で覆い、第2MPEを行い、該ケ ゙ート電極構造上方の該半導体層の表面にエッチンク ゙ストッハ ゚ー(ES)を形成する。また該ESと、半導体層と第1絶縁層の表面に第2金属層を形成して第3MPEを行い該ESの両側にソース構造とト ゙レイン構造とを形成する。さらに保護層を形成し、かつ該ソース構造とト ゙レイン構造との一部領域を露出させ、該保護層の表面に画素電極を形成し、該電極と該ト ゙レイン構造とを電気的に接続する。
請求項（抜粋）：
透明絶縁基板上に傾斜散光面を有する画素電極を形成する薄膜トランジスタ液晶表示装置(TFT-LCD)の製造方法であって、該透明絶縁基板に第1金属層を形成し、該第1金属層に対して第1のマイクロフォトエッチングを行なうことにより、ゲート電極構造を形成するとともに、画素電極を形成する画像表示領域に対応する領域に形成され、かつ第1傾斜側辺と第2傾斜面側辺を有する尾根状ブロックを形成する工程と、該ゲート電極構造と、尾根状ブロックと、透明絶縁基板の表面を被覆するとともに、該尾根状ブロックの第1傾斜側辺に沿って第1傾斜表面を呈し、かつ該第2傾斜側辺に沿って第2傾斜表面を呈する第1絶縁層を形成する工程と、該第1絶縁層の表面に半導体層のパターンを形成して薄膜トランジスタのチャネルエリアとする工程と、該半導体層と第1絶縁層の表面を覆う第2絶縁層を形成し、かつ該第2絶縁層に対して、第2のマイクロフォトエッチングを行ない、該ゲート電極構造上方の該半導体層の表面にエッチングストッパー(Etching Stopper)を形成する工程と、該エッチングストッパーと、半導体層と第1絶縁層の表面に第2金属層を形成するとともに、該第2金属層に対して第3のマイクロフォトエッチングを行ない該エッチングストッパーの両側にソース構造とドレイン構造とを形成する工程と、さらに保護層を形成し、かつ該ソース構造とドレイン構造との一部領域を露出させる工程と、該保護層の表面に画素電極を形成し、かつ該画素電極と該ドレイン構造とを電気的に接続する工程とを含むことを特徴とする傾斜散光面を形成した画素電極を有する薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
IPC (5件)：
G02F 1/1368 ,  G02F 1/1335 520 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
G02F 1/1368 ,  G02F 1/1335 520 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 619 A
Fターム (43件)：
2H091FA14Y ,  2H091FB08 ,  2H091FC26 ,  2H091GA02 ,  2H091GA13 ,  2H091LA17 ,  2H092HA05 ,  2H092JA24 ,  2H092KA18 ,  2H092MA14 ,  2H092MA17 ,  2H092MA37 ,  2H092PA12 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110EE50 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110HK02 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK50 ,  5F110HL03 ,  5F110NN02 ,  5F110NN16 ,  5F110NN24 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ08
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM