特許

J-GLOBAL ID：200903064240954498

電界効果トランジスタ

発明者： 杉浦 政幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-243588
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092845
出願日： 1996年09月13日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 高周波特性を劣化させることなく、Id -Vgs特性の緩やかな電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 電界効果トランジスタを複数の閾値電圧を持つトランジスタを並列接続して構成する。具体的には、ゲート電極の一部をチャンネル領域となる半導体層から離して形成した部分を有するゲート電極を形成する等の手法を用いる。ゲート電極の一部が半導体層から離れた部分の幅は、両側から延びる空乏層でピンチオフできるように選ばれる。

請求項（抜粋）：

ソース領域とドレイン領域と、該ソース領域とドレイン領域との間を流れる主電流を制御するゲート領域とを少なくとも具備する電界効果トランジスタであって、該ゲート領域は閾値電圧が異なる複数の部分から構成されることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808

FI (4件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 C