特許

J-GLOBAL ID：200903064246907360

光半導体装置

発明者： 松倉 祐輔 ,  田中 均
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-214614
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044487
出願日： 1999年07月29日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 光半導体装置に関し、単位画素面内に発光或いは受光の波長域を異にする複数の光半導体素子を形成できるようにして集積度の向上、及び、配線構造の簡易化を実現しようとする。【解決手段】 単位画素面内にpn接合或いはショットキ接合或いは多重量子井戸からなる発光或いは受光波長域を異にする第一の活性層12及び第二の活性層13など複数の活性層が含まれ且つ各活性層のうち少なくとも一つ、即ち、第二の活性層13は選択再成長されたものである。

請求項（抜粋）：

単位画素面内にpn接合或いはショットキ接合或いは多重量子井戸からなる発光或いは受光波長域を異にする複数の活性層が含まれ且つ該各活性層のうち少なくとも一つは選択再成長されたものであることを特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/12 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 31/12 B ,  H01L 33/00 A ,  H01L 31/10 A

Fターム (30件)：

5F041AA12 ,  5F041AA43 ,  5F041AA47 ,  5F041CA02 ,  5F041CA05 ,  5F041CA08 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CB23 ,  5F041CB29 ,  5F041FF01 ,  5F049MA02 ,  5F049MA05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA10 ,  5F049NA19 ,  5F049NA20 ,  5F049NB10 ,  5F049PA04 ,  5F049QA16 ,  5F049RA04 ,  5F049SS04 ,  5F049WA03 ,  5F089AA10 ,  5F089AB17 ,  5F089AC07 ,  5F089CA20