特許

J-GLOBAL ID：200903064250675406

透明絶縁性基板および薄膜トランジスタ

発明者： 世良 賢二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-333995
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202208
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 光透過性に優れた低コストガラス基板、及び低コスト基板上の薄膜トランジスタ、特にエキシマレーザアニールプロセスに適するガラス基板材料と薄膜トランジスタを得る。【構成】 SiO2 を主成分とし、Al2 O3 、B2 O3 、BaO、CaO、ZnO、SrOのうちの1種以上の成分を5wt%以上含みNa2 O、K2 O、Li2 Oの成分が0.1wt%以下である透明絶縁性基板においてFe3+イオンの濃度を0.005%以下に低減する事によって、基板コスト、歪点、耐酸性を劣化させる事なくガラス基板の紫外域での透過率を改善する。またこのガラス基板を用いて紫外レーザーアニール結晶化法を用いて薄膜トランジスタを作製することにより、従来の基板での問題点であった、レーザ照射時の基板ダメージや、基板加熱状態の変動による薄膜のばらつきを排除し、低コスト基板上で均一に性能の優れたトランジスタを得る。

請求項（抜粋）：

SiO2 を主成分とし、Al2 O3 、B2 O3 、BaO、CaO、ZnO、SrOのうち少なくとも1種以上の成分を5wt%以上含みNa2 O、K2 O、Li2 Oの成分が0.1wt%以下である透明絶縁性基板において、Fe3+イオンが0.005%以下であることを特徴とする透明絶縁性基板。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  C30B 1/08 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 X ,  H01L 29/78 311 Y