特許
J-GLOBAL ID:200903064251098593

太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-017413
公開番号(公開出願番号):特開平5-218479
出願日: 1992年02月03日
公開日(公表日): 1993年08月27日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 透明絶縁性基板の上に、順次、透明性の第1電極層、ZnS薄膜、CdS薄膜、光吸収用半導体層、第2電極層が積層されていることにより、窓層表面近傍で生成される電子-正孔対を効率良く光電流として獲得できるため、高いエネルギー変換効率を有する太陽電池を得る。【構成】 ガラス基板等の透明絶縁性基板11の上に、ITOやSnO2 等からなる透明性の第1電極層12が形成され、その上にZnS薄膜13aが0.2μm程度の膜厚で形成され、続いてCdS薄膜13bが0.2μm程度の膜厚で形成される。次に、光吸収用半導体層14として、p型のCdTe薄膜又はCuInSe2 薄膜が3μm程度の膜厚で形成され、その上にAuやNi等の第2電極層15が形成される。
請求項(抜粋):
透明絶縁性基板の上に、順次、透明性の第1電極層、ZnS薄膜、CdS薄膜、光吸収用半導体層、第2電極層が積層されている太陽電池。
FI (2件):
H01L 31/04 E ,  H01L 31/04 L
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開昭61-136276
  • 特開昭64-005896
  • 特開昭54-154293
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