特許
J-GLOBAL ID：200903064251574085
銅膜のエツチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-263600
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102094
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 銅膜の異方性エッチングを、高精度で、且つ高選択比で行なうことを達成させる。【構成】 半導体基板上に形成したCu膜25を、以下の条件で反応性イオンエッチングする。エッチングガス:ヨウ化メチル(100SCCM),圧力:0.02Torr,RFパワー:250W,基板温度:170°Cこのようなエッチングにより、銅はヨウ素又はヨウ素ラジカルと反応しヨウ化銅となりエッチングされる。また、ヨウ化メチルに含まれるカーボンは配線側壁に付着して保護膜として作用するが、マイクロ波ダウンフローアッシング装置を用いてレジスト除去する際に除去することができる。このようなエッチングにより、精高の良い銅膜のエッチングが達成できる。
請求項（抜粋）：
分子中に、ヨウ素(I)と炭素(C)を含むガスを、エッチングガスとして用いて銅膜をエッチングすることを特徴とする銅膜のエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H01L 21/3205
H01L 21/88 D
, H01L 21/88 M
