特許
J-GLOBAL ID：200903064253325104
溶融塩中での金属窒化物薄膜形成法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (7件)：
三枝 英二
, 掛樋 悠路
, 小原 健志
, 斎藤 健治
, 藤井 淳
, 関 仁士
, 中野 睦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-136300
公開番号（公開出願番号）：特開2005-314775
出願日： 2004年04月30日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
【課題】 比較的低温においても高い生成速度を有する金属窒化物及び金属酸窒化物の形成方法を提供すること。 【解決手段】 アンモニウム塩と、金属窒化物の原料となる金属塩及び/又は酸素原子を有する化合物を溶解させた溶融塩を電解浴として用い、酸化物被膜を有する基体を陰極に使用する溶融塩電解において、(1)前処理としての通電により、基体表面の酸化物被膜を除去するか又は基体表面を活性化する工程;及び(2)さらに通電することにより、基体表面に窒化物被膜又は酸窒化物被膜を形成する工程;を含む、基体表面に金属窒化物被膜又は金属酸窒化物被膜を形成する方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
アンモニウム塩を溶解した溶融塩を電解浴として用い、金属窒化物被膜を形成する対象となる基体を陰極に使用する溶融塩電解において、
(1)アンモニウム塩が還元されない電位で通電することにより、前記基体表面を溶解させる工程;及び
(2)アンモニウム塩が還元される電位で通電することにより、前記基体表面を窒化する工程;
を含む、基体表面に金属窒化物被膜を形成する方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
前のページに戻る
