半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-276189
公開番号（公開出願番号）：特開平8-138371
出願日： 1994年11月10日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】電源投入時のデータ出力を制御し、バスファイトを防ぐと共に、規定電圧に達した後は低消費電力モードにする。【構成】DRAMをCBRリフレッシュ状態にするCBRリフレッシュサイクル発生回路2と、セルフリフレッシュモードに切り換えるセレクタ部4,5,6および7と、電源電圧が規定の電圧になったことを検出する電圧検出器3を備えている。

請求項（抜粋）：

電源電圧が規定の電圧になったことを検出する電圧検出器と、この電圧検出器で規定電圧を検出するまでDRAMに対し、CASビフォアーRASリフレッシュサイクル信号を発生する手段とを含むことを特徴とする半導体記憶装置。

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