特許
J-GLOBAL ID:200903064264482490
電解銅箔およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-185444
公開番号(公開出願番号):特開2001-011685
出願日: 1999年06月30日
公開日(公表日): 2001年01月16日
要約:
【要約】【課題】 抗張力および伸び率に優れた電解銅箔およびその製造方法を提供する。【解決手段】 銅箔中に双晶組織が存在し、該双晶組織に塩素が取り込まれ、かつ銅箔中に含まれる塩素濃度が40ppmを越えて200ppm以下である電解銅箔。銅濃度が60〜90g/Lの範囲にあり、硫酸濃度が80〜250g/Lの範囲にあり、塩素イオンを1〜3ppmの量で含み、かつゼラチン系添加剤が0.3〜5ppmの量で添加されてなる電解液を用いて、40〜60°Cの液温で、かつ30〜120A/dm2の電解電流密度で、電解銅箔を製造する上記電解銅箔の製造方法。
請求項(抜粋):
銅箔中に双晶組織が存在し、かつ該双晶組織に塩素が取り込まれ、銅箔中に含まれる塩素濃度が40ppmを越えて200ppm以下であることを特徴とする電解銅箔。
IPC (5件):
C25D 1/04 311
, C22C 9/00
, C25D 3/38 101
, H05K 1/09
, B32B 15/08
FI (5件):
C25D 1/04 311
, C22C 9/00
, C25D 3/38 101
, H05K 1/09 A
, B32B 15/08 J
Fターム (33件):
4E351AA01
, 4E351AA03
, 4E351AA04
, 4E351BB01
, 4E351BB30
, 4E351BB33
, 4E351CC06
, 4E351DD04
, 4E351DD54
, 4E351GG03
, 4E351GG11
, 4F100AB17A
, 4F100AB33A
, 4F100AG00
, 4F100AK33
, 4F100AK49
, 4F100AK53
, 4F100BA01
, 4F100BA02
, 4F100DG10
, 4F100DG15
, 4F100DH00
, 4F100EH711
, 4F100GB43
, 4F100JK02
, 4F100JK08
, 4K023AA04
, 4K023AA19
, 4K023BA06
, 4K023CA09
, 4K023CB40
, 4K023DA07
, 4K023DA08
引用特許:
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