特許

J-GLOBAL ID：200903064273871660

化合物半導体の元素の回収装置、元素の回収方法、元素の分解精製方法、化合物半導体のエッチング装置、エッチング方法および化合物半導体装置の製造方法

発明者： 喜多 徹 ,  衣川 佳之 ,  西脇 若菜 ,  赤池 康彦 ,  磯本 建次 ,  石川 博規 ,  古川 和由 ,  鷲塚 章一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-298401
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100705
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体基板上に製膜した膜をエッチャントにさらすことなく、化合物半導体基板から 高純度な化合物半導体の元素を回収する。【解決手段】 化合物半導体基板の置かれる雰囲気を不活性雰囲気にし、この化合物半導体基板を加熱し、固体粉末状の元素と液体状の元素に熱分解する。そして、固体粉末状の元素を捕集し、液体状の元素を捕集する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体の雰囲気を不活性に調整可能なチャンバーと、前記化合物半導体を加熱し元素に分解する加熱装置と、分解した液体状の前記元素を捕集する液体状の元素捕集装置とを有することを特徴とする化合物半導体の元素の回収装置。

IPC (7件)：

H01L 21/306 ,  C22B 7/00 ,  C22B 9/02 ,  C22B 9/04 ,  H01L 33/00 ,  C22B 30/04 ,  C22B 58/00

FI (7件)：

C22B 7/00 F ,  C22B 9/02 ,  C22B 9/04 ,  H01L 33/00 B ,  C22B 30/04 ,  C22B 58/00 ,  H01L 21/302 P

Fターム (22件)：

4K001AA03 ,  4K001AA11 ,  4K001BA22 ,  4K001DA01 ,  4K001DA07 ,  4K001EA02 ,  4K001FA13 ,  5F004BA19 ,  5F004BB03 ,  5F004BB05 ,  5F004BB26 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB19 ,  5F004DB20 ,  5F004DB22 ,  5F004EB08 ,  5F041AA31 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74