特許
J-GLOBAL ID：200903064276129337
結晶成長基板及び半導体発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-220564
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063819
出願日： 2002年07月30日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】サファイア基板の裏面形状に関する新しい成形技術により、半導体発光素子の外部量子効率や集光性や指向性等を向上させる。【解決手段】Siの種基板200上に、クラスタイオンビーム蒸着成長法で成長温度約350°Cでサファイア101をエピタキシャル成長させた場合、γ相のAl2 O3 層が形成されるが、これを1000°C以上の高温にさらすと、このγ相のAl2 O3 層はその後α相のAl2 O3 層に相転移する。このα相のサファイア101の上に、公知或いは任意の半導体発光素子を形成することができる。その後Siの種基板200をエッチング処理により選択的に除去すれば、サファイアの光取り出し面が所望の形状に形成された半導体発光素子が得られる。この結果、半導体発光素子から出力される光の集光性や指向性を向上させることができると共に、半導体発光素子の外部量子効率を向上させることができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体の結晶成長基板として可用なサファイア基板の製造方法であって、
サファイア(Al2 O3 )よりもエッチングされ易い種基板のサファイア成長面に凹凸を設けて所望の形状に成形する種基板成形工程と、
前記種基板の前記サファイア成長面にサファイアを結晶成長させるサファイア基板成長工程と、
前記サファイア基板成長工程により形成されたサファイア基板から前記種基板を選択的に除去する種基板除去工程と
を有する
ことを特徴とする結晶成長基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
5F041AA40
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA64
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F045AA04
, 5F045AB18
, 5F045AB37
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DA53
