特許

J-GLOBAL ID：200903064277129152

半導体装置

発明者： 山川 君男 ,  一色 実 ,  大谷 淑子 ,  峰 勝利
出願人/特許権者： 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-215769
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045975
出願日： 1997年07月25日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】 優れた耐熱衝撃性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体チップが該チップ取付部に接着剤により接着されており、該チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封止・充填剤により封止もしくは充填されている半導体装置であって、該接着剤および該封止・充填剤の少なくとも一方の、温度-65°C、せん断周波数10Hzにおける複素弾性率が1×109dyne/cm2以下であることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体チップが該チップ取付部に接着剤により接着されており、該チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封止・充填剤により封止もしくは充填されている半導体装置であって、該接着剤および該封止・充填剤の少なくとも一方の、温度-65°C、せん断周波数10Hzにおける複素弾性率が1×109dyne/cm2以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4件)：

H01L 25/08 Z ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/28 C ,  H01L 23/30 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-091448
  
• 特開昭62-149157