特許
J-GLOBAL ID：200903064278054709
半導体単結晶製造装置および半導体単結晶製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268100
公開番号（公開出願番号）：特開平6-092772
出願日： 1992年09月10日
公開日（公表日）： 1994年04月05日
要約：
【要約】【目的】 引き上げ単結晶を包囲する輻射スクリーンを備えた単結晶製造装置において、簡素な構造でありながら、単結晶原料をるつぼ内に充填する際に輻射スクリーンを上方に移動することができるようにする。【構成】 シャフト6aの下端にワイヤケーブル6bを介して複数個のフック6cを釣支し、前記シャフト6aを種子結晶ホルダ5に嵌着する。輻射スクリーン7の下端をフック6cで釣支し、ポリ結晶4を石英るつぼ3に充填する際には輻射スクリーン7の上端がアッパチャンバ1a内面に近接する位置まで種子結晶ホルダ5を引き上げる。ポリ結晶4を溶解した後種子結晶ホルダ5を下降させて輻射スクリーン7の上端を断熱筒10の上端に掛止する。更に種子結晶ホルダ5を下降させて輻射スクリーン7からフック6cを外し、種子結晶ホルダ5をプルチャンバ1b内に引き上げ、種子結晶ホルダ5に種子結晶を取り付けて再度下降させる。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法を用いる単結晶製造装置において、種子結晶ホルダに嵌着可能のシャフトと、このシャフトの下端に揺動自在に釣支され、中空円筒状の輻射スクリーンの下端を掛止する複数個のフックとによって構成した輻射スクリーン吊り治具と、引き上げ単結晶の下端を包囲する前記輻射スクリーンとを備えていることを特徴とする半導体単結晶製造装置。
IPC (3件)：
C30B 15/00
, C30B 15/02
, C30B 15/14
