特許

J-GLOBAL ID：200903064279346215

非晶質半導体素子

発明者： 東 正信
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-083765
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275222
出願日： 1996年04月05日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】高い光導電率を示し、光電変換に利用できる光の波長域を広げた、光安定性の高い非晶質半導体素子を得る。【解決手段】光学ギャップの異なる非晶質シリコン膜を2層以上積層する際において、基層、及び基層の上部に積層されるi型非晶質シリコン層中の塩素含有量、且つ空隙率を所定の範囲となるよう適宜制御する。

請求項（抜粋）：

塩素含有量0.1原子%〜5.0原子%、光学ギャップ1.9eV〜2.5eV、且つ空隙率5.0体積%〜15体積%の非晶質シリコンからなる基層に、該基層より光学ギャップが小さく、塩素含有量0.005原子%〜0.1原子%、光学ギャップ1.6eV〜1.9eV、且つ空隙率0.01体積%〜5.0体積%のi型非晶質シリコンからなる層が少なくとも1層以上積層されてなることを特徴とする非晶質半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 27/146 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 31/04 V ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/14 C