特許

J-GLOBAL ID：200903064279738997

半導体集積回路

発明者： 山本 福徳
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-092282
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302799
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】 エミッタ領域の中抜き部の形状と配置を工夫することによりトランジスタの2次破壊耐量(ASO)を増大する。【構成】 ストライプ状エミッタ領域2の表面にほぼ一定間隔でエミッタコンタクト孔4を配置する。エミッタ領域2の両脇にエミッタコンタクト孔4とは互い違いになるようにベースコンタクト孔3を配置する。エミッタ領域を囲むようにしてエミッタ領域2を形成しない中抜き部5を形成する。中抜き部5は、ベースコントラクト孔3とエミッタコンタクト孔4とを結ぶ直線に対してほぼ直交するような傾きで一定先幅で配置する。

請求項（抜粋）：

ストライプ状の一導電型のベース領域と、該ベース領域の表面に形成した逆導電型のエミッタ領域と、前記エミッタ領域の表面に略一定間隔で配置したエミッタコンタクト孔と、前記ベ-ス領域の表面に前記エミッタコンタクト孔とは互い違いになるように略一定間隔で配置したベースコンタクト孔と、前記ベースコンタクト孔と前記エミッタコンタクト孔との間に設けた、前記エミッタ領域を形成しない中抜き部とを有する半導体集積回路において、前記中抜き部を、前記ベースコンタクト孔と前記エミッタコンタクト孔とを結ぶ直線に対して略直交するように配置したことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 27/04 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭53-053979
  
• 特開昭56-091468
  
• 特開昭55-162267