特許
J-GLOBAL ID:200903064283071450

極薄軟磁性合金薄帯の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 倉内 基弘 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-139634
公開番号(公開出願番号):特開平5-311321
出願日: 1992年05月06日
公開日(公表日): 1993年11月22日
要約:
【要約】【目的】 高周波特性を改善した極薄軟磁性合金薄帯を提供すること。【構成】 原子比で表して、Fe<SB>100-X-Y-Z</SB> Ni<SB>X</SB> Si<SB>Y</SB> B<SB>N</SB>(ここに、X=1〜30、Y=10〜18、及びZ=7〜17で、X+Y+Z<80)の組成を有し、厚さが7μm以下である極薄軟磁性非晶質合金薄帯を製造し、薄帯の幅方向に磁場を印加したまま熱処理を施す。
請求項(抜粋):
原子比で表して、Fe<SB>100-X-Y-Z</SB> Ni<SB>X</SB> Si<SB>Y</SB> B<SB>N</SB>(ここに、X=1〜30、Y=10〜18、及びZ=7〜17で、X+Y+Z<80)の組成を有し、厚さが7μm以下である極薄軟磁性非晶質合金薄帯を製造し、薄帯の幅方向に磁場を印加したまま熱処理を施すことからなる、極薄軟磁性合金薄帯の製造方法。
IPC (7件):
C22C 38/00 ,  C21D 1/04 ,  C21D 6/00 ,  C22C 38/08 ,  C22C 45/02 ,  H01F 1/153 ,  H01F 41/02

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