特許
J-GLOBAL ID：200903064285378013
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-301443
公開番号（公開出願番号）：特開2001-126988
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 排気配管内壁への反応生成物付着を防止し、最終的な排ガス処理機構の負荷を軽減して除害効率を向上させる半導体製造装置を提供する。【解決手段】 半導体製造装置本体100は、各種ガスが投入される製造チャンバ11を含む。ガス排気配管12は、チャンバ11内における反応後の排ガスを流し、最終的にスクラバーや除害装置等の排ガス処理機構13に導かれる。ガス排気配管12は所定距離だけ配管外周表面を覆うように副配管14が形成され、ガス流入口INから加熱された不活性なガス(例えばN2 ガス)が流入される。内管のガス排気配管12は常に保温または加熱され、ガス排気配管12内を流れる排ガスの温度は、チャンバ11から排出された直後の温度近くに維持され、反応生成物の発生を抑える。
請求項（抜粋）：
半導体素子製造に関し、製造チャンバ内での化学気相反応に伴なって排出される排ガスを導くガス排気配管と、少なくとも前記ガス排気配管の所定距離において、配管外周表面を覆うように設けられる副配管と、前記副配管に加熱した不活性なガスを流す前記排ガスの保温機構と、を具備したことを特徴とする半導体製造装置。
Fターム (11件)：
5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045BB14
, 5F045EC08
, 5F045EC09
, 5F045EC10
, 5F045EF20
, 5F045EG01
, 5F045EG05
, 5F045EG08
, 5F045EG09
