特許
J-GLOBAL ID：200903064285436595
半導体装置およびその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087151
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291580
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 縦型二重拡散MOSFETからなるセル部およびその周囲に外周部領域を有する半導体装置で、高耐圧化を達成すると共に内蔵ダイオードの逆回復時間の短い高性能な半導体装置およびその製法を提供する。【構成】 外周部領域の深さがBW領域の深さより深く形成されることにより、高耐圧化と内蔵ダイオードの逆回復時間の短縮化を達成する。その製法としては、半導体基板の外周部領域形成場所に第1段の不純物導入が行われて第1の外周部領域10aが形成されたのち、BW領域および外周周部領域の形成場所に再度不純物が導入されることにより、外周部領域10がBW領域2より深く形成される。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の高濃度領域であるベースウェル領域を介して第2の導電型のソース領域およびドレイン領域のそれぞれが半導体基板の表面側と裏面側のいずれかに形成された縦型二重拡散MOSFETからなるセル部と、該セル部の周囲に第1の導電型の高濃度領域で形成された外周部領域とを有する半導体装置であって、前記外周部領域の深さが前記ベースウェル領域の深さより深く形成されてなる半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/336
H01L 29/78 321 K
, H01L 29/78 321 P
