特許

J-GLOBAL ID：200903064289285109

MOSトランジスタ

発明者： 角 博文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-289131
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102074
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、シリサイド化反応において、Ti膜と反応しないサイドウォールを形成することで、サイドウォールを介して発生するゲートとソース・ドレイン領域間のリーク電流を低減し、デバイスの電気的特性の向上を図る。【構成】 ゲート15の側壁に、半導体の窒化物として例えば窒化シリコンでサイドウォール18,19を形成し、かつソース・ドレイン領域22,23の上面とゲート15の上面とにシリサイドよりなる低抵抗層24,25,26を形成したものである。あるいは、上記構成のMOSトランジスタ10において、サイドウォール18,19とゲート15の側壁との間およびサイドウォール18,19とソースドレイン領域22,23との間に、例えば酸化シリコンよりなるストレス緩和層(図示せず)を設けたものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して設けたゲートと、前記ゲートの側壁に設けたサイドウォールと、前記ゲートの両側の前記半導体基板の上層に形成したソース・ドレイン領域と、前記ソース・ドレイン領域の上面に形成した低抵抗層とよりなるMOSトランジスタにおいて、前記サイドウォールを半導体の窒化物で形成したことを特徴とするMOSトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-211277
  
• 特開昭63-318779
  
• 特開平1-109766