特許

J-GLOBAL ID：200903064292429855

光電変換機能素子および当該光電変換機能素子用基板の製造方法

発明者： 花房 幹夫 ,  佐藤 賢次
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-282011
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102634
出願日： 1999年10月01日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】周期表第12(2B)族元素及び第16(6B)族元素からなる化合物半導体結晶基板を用い、熱拡散によりpn接合を形成することにより光電変換機能素子を安定して作製できる光電変換機能素子用基板の製造方法を提供する。【解決手段】 周期表第12(2B)族元素及び第16(6B)族元素からなる化合物半導体結晶基板を用い、基板とは異なる導電性を示す拡散源を基板表面に配置し、拡散によりpn接合を形成する光電変換機能素子用基板の製造方法であって、エッチング後に平坦な面が得られる面方位の基板面に上記拡散源を配置するようにした。

請求項（抜粋）：

周期表第12(2B)族元素及び第16(6B)族元素からなる化合物半導体結晶基板を用い、基板とは異なる導電性を示す拡散源を基板表面に配置し、拡散によりpn接合を形成する光電変換機能素子用基板の製造方法であって、エッチング後に平坦な面が得られる面方位の基板面に上記拡散源を配置することを特徴とする光電変換機能素子用基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/385 ,  H01S 5/327

FI (4件)：

H01L 33/00 D ,  H01L 21/225 Z ,  H01L 21/385 ,  H01S 5/327

Fターム (11件)：

5F041AA03 ,  5F041AA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA72 ,  5F041FF16 ,  5F073BA09 ,  5F073CA22 ,  5F073DA12 ,  5F073DA23 ,  5F073EA07 ,  5F073EA24