特許

J-GLOBAL ID：200903064294685140

スタティック型半導体記憶装置

発明者： 原口 喜行 ,  山形 整人
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-204978
公開番号（公開出願番号）：特開平8-069693
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 低電圧動作が可能でかつ低消費電力のスタティック型半導体記憶装置を提供する。【構成】 SRAM300はメモリセルアレイ101と、メモリセルアレイ101に接続されたビット線負荷102、マルチプレクサ103等を含む周辺回路と降圧回路301を含む。降圧回路301は電源電位Vccを受けてそれよりも低い電位Vinを出力する。電位Vinはメモリセルアレイ101を除く周辺回路に印加され、メモリセルアレイ101には電源電位Vccが直接印加される。したがって、メモリセルアレイ101の作動電位が周辺回路に対して相対的に高くなる。

請求項（抜粋）：

第1の電位を有する電源電圧を受けるスタティック型半導体記憶装置であって、MOSトランジスタで構成されるスタティック型のメモリセルと、前記スタティック型メモリセルを作動させる周辺回路部と、前記周辺回路部への印加電圧として前記第1の電位よりも低い第2の電位を準備する手段とを含む、スタティック型半導体記憶装置。