特許
J-GLOBAL ID：200903064299935420
樹脂封止型半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中本 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-092375
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267371
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 熱応力の発生が少なく、耐はんだリフロー性、実装後の耐温度サイクル性、耐湿信頼性等に優れた樹脂封止型半導体装置を提供する。【構成】 半導体素子1の電極2とリード4が電気的に接続され、少なくとも素子の回路形成面を、(a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤、(c)硬化促進剤及び(d)無機質充填剤を必須成分とする樹脂組成物で封止5した樹脂封止型半導体装置において、上記樹脂組成物を構成する(a)エポキシ樹脂及び(b)硬化剤からなる樹脂成分は150°Cにおける粘度が3ポイズ以下であり、(d)の無機質充填剤はその95%以上が粒径0.1から100μmの範囲にあり、平均粒径が2から20μmの実質的に球状の粉末であり、かつ、当該無機質充填剤は組成物全体に対して75から92.5vol%の範囲で配合され、しかも、上記樹脂組成物は加圧成形過程における最低溶融粘度が3000ポイズ以下、加圧成形後は熱膨張係数が1.0×10-5/°C以下である樹脂組成物を用いる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の電極とリードが電気的に接続され、少なくとも素子の回路形成面を、(a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤、(c)硬化促進剤及び(d)無機質充填剤を必須成分とする樹脂組成物で封止した樹脂封止型半導体装置において、上記樹脂組成物を構成する(a)エポキシ樹脂及び(b)硬化剤からなる樹脂成分は150°Cにおける粘度が3ポイズ以下であり、(d)の無機質充填剤はその95%以上が粒径0.1から100μmの範囲にあり、平均粒径が2から20μmの実質的に球状の粉末であり、かつ、当該無機質充填剤は組成物全体に対して75から92.5vol%の範囲で配合され、しかも、上記樹脂組成物は加圧成形過程における最低溶融粘度が3000ポイズ以下、加圧成形後は熱膨張係数が1.0×10-5/°C以下の樹脂組成物であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/56
, H01L 23/29
, H01L 23/31
