特許

J-GLOBAL ID：200903064304912786

マルチチップモジュール及びその製造方法

発明者： 落合 良一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 松本 昂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-136744
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335478
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】本発明は回路の高速性と高放熱性を両立することのできるマルチチップモジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】多層の導体パターン14を有する高熱伝導性基板12と、電極17が設けられた面と反対側の面で該高熱伝導性基板12に接合された複数のLSIチップ16と、各LSIチップ16の電極17に接続された多層の導体パターン18を有し、前記LSIチップ16を埋め込むように前記高熱伝導性基板12上に設けられた多層埋込み層20と、該多層埋込み層20の最上層の導体パターン18上に設けられた複数の金属バンプ22とから構成する。

請求項（抜粋）：

多層の導体パターン(14)を有する高熱伝導性基板(12)と、電極(17)が設けられた面と反対側の面で該高熱伝導性基板(12)に接合された複数のLSIチップ(16)と、各LSIチップ(16)の電極(17)に接続された多層の導体パターン(18)を有し、前記LSIチップ(16)を埋め込むように前記高熱伝導性基板(12)上に設けられた多層埋込み層(20)と、該多層埋込み層(20)の最上層の導体パターン(18)上に設けられた複数の金属バンプ(22)とを具備したことを特徴とするマルチチップモジュール。

IPC (2件)：

H01L 25/04 ,  H01L 25/18