特許

J-GLOBAL ID：200903064308296052

レジストパターン形成方法

発明者： 木村 香織 ,  田中 稔彦 ,  服部 孝司 ,  横山 義之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-073923
公開番号（公開出願番号）：特開2001-255669
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 ArFエキシマレーザに代表される短波長光を用いてネガ型レジストパターンを形成すると、レジスト残さや膨潤が発生し、微細パターン形成が困難であった。【解決手段】 極性変換系のネガ型レジストを用い、かつ現像工程において現像液をTMAH濃度が0.01%から0.1%の現像液を使用する。

請求項（抜粋）：

レジストを露光し、アルカリ現像を行って所望のレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法において、露光部の極性が極性から非極性に変化し、アルカリ現像液に難溶となって、パターンが形成される極性変換系ネガ型レジストを該レジストとして用い、かつアルカリ現像液として、濃度が0.01から0.1重量%までのTMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)水溶液を用いることを特徴としたレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/32 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/32 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/30 569 E

Fターム (19件)：

2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BJ01 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA06 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096GA08 ,  2H096GA09 ,  2H096GA13 ,  2H096GA60 ,  5F046LA12