特許

J-GLOBAL ID：200903064308559100

半導体基板の処理方法

発明者： 村松 良徳
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-264470
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120190
出願日： 1992年10月02日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】半導体基板の純水によるリンス処理の際に、自然酸化膜の成長、微粒子の付着、および金属イオンの沈積を防ぐ。【構成】薬液処理後の半導体基板を10〜50ppmのフッ化水素と10〜50ppmの過酸化水素を添加した純水で処理する。

請求項（抜粋）：

半導体基板を薬液処理したのちこの半導体基板を純水でリンスする半導体基板の処理方法において、前記純水中に10〜50ppmのフッ化水素と10〜50ppmの過酸化水素またはオゾンを添加することを特徴とする半導体基板の処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/60 ,  C11D 7:08 ,  C11D 7:18