炭化珪素半導体素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207058
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035838
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】イオン注入された不純物を活性化するためのアニール後のSiC表面の異常堆積物、組成変化、表面形状の変化等の影響を除去し、良好な特性のSiC半導体素子を作製する方法を提供する。【解決手段】高温アニール後、水素と酸素との混合ガスのプラズマ、フッ素原子を含むガスのプラズマ等で表面エッチングをおこなう。溶融アルカリ等の高温溶融塩中において表面エッチングをおこなっても同様の効果が得られる。

請求項（抜粋）：

イオン注入された不純物を活性化するためのアニール後、プラズマによる表面エッチングをおこなうことを特徴とするに炭化珪素半導体素子の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/302 N , H01L 21/302 F

Fターム (26件)：

5F004AA14 , 5F004AA16 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA06 , 5F004DA07 , 5F004DA08 , 5F004DA09 , 5F004DA10 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA19 , 5F004DA20 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004DB19 , 5F004EA10 , 5F004EA28 , 5F004EA38 , 5F004EB08 , 5F004FA01 , 5F004FA02

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平1-256170
特公昭49-037919
特開昭57-124438

審査官引用 (3件)

特開平1-256170
特開昭49-037919
特開昭57-124438

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