特許
J-GLOBAL ID：200903064310322281
半導体ウェーハ処理液
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-103191
公開番号（公開出願番号）：特開平6-041773
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年02月15日
要約：
【要約】【目的】 パーティクル、金属の双方に対し良好な除去効果を有するとともに、洗浄工程の簡略化を図ることができる半導体ウェーハ用処理液を提供すること。【構成】 水性溶媒とアルカリ性成分とからなるウェーハ処理液であって、該処理液中に、ウェーハ表面への金属の吸着作用を抑制する吸着防止剤が添加されてなることを特徴とする半導体ウェーハ処理液。
請求項（抜粋）：
水性溶媒とアルカリ性成分とからなるウェーハ処理液であって、該処理液中に、ウェーハ表面への金属の吸着作用を抑制する吸着防止剤が添加されてなることを特徴とする、半導体ウェーハ処理液。
IPC (4件)：
C23G 1/14
, C23F 1/40
, C30B 33/10
, H01L 21/304 341
