光電変換機能素子用基板の製造方法および光電変換機能素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286567
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111107
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 II-VI族化合物半導体単結晶を用いて安定した発光特性を有する光電変換機能素子用基板を製造する方法および高い光取り出し効率を有する光電変換機能素子を簡易かつ安価に提供する。【解決手段】 II-VI族化合物半導体単結晶基板を用い、該基板とは異なる導電性を示す拡散源を基板表面に配置し、所定の拡散処理条件にて前記拡散源に熱処理を施して、熱拡散によりpn接合を形成する光電変換機能素子の製造方法において、前記拡散源の膜厚を5nmから50nm、好ましくは5nmから20nmとするようにした。

請求項（抜粋）：

周期表12(2B)族元素および第16(6B)族元素からなる化合物半導体単結晶基板を用い、該基板とは異なる導電性を示す拡散源の薄膜を前記基板表面に形成し、所定の拡散処理条件で前記拡散源に熱処理を施して、熱拡散によりpn接合を形成する光電変換機能素子用基板の製造方法において、前記拡散源の膜厚を5nmから50nmとすることを特徴とする光電変換機能素子用基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , H01L 21/225 , H01L 21/385 , H01S 5/327

FI (4件)：

H01L 33/00 D , H01L 21/225 M , H01L 21/385 , H01S 5/327

Fターム (16件)：

5F041AA03 , 5F041AA09 , 5F041AA41 , 5F041CA02 , 5F041CA41 , 5F041CA43 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA72 , 5F041CA73 , 5F041CA77 , 5F041CA83 , 5F073CA22 , 5F073DA12 , 5F073DA23 , 5F073DA35

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