有機金属化学気相成長方法および有機金属化学気相成長装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015668
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214329
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】有機金属化合物(MO)イオンの衝突による基板や堆積物に与えるダメージを軽減し、高品質な薄膜を基板面内に均一に、あるいは所望の分布をもって堆積させることのできる有機金属化学成長方法を提供する。【解決手段】コイル5により、基板3表面に垂直に磁力線が交わるように、かつ、基板に近づくにつれて磁束密度が大きくなるように磁場を印加する。この状態で、基板3に対して0〜45度の方向から基板3の垂直上方に位置する点に向けてMOイオンビーム9を照射し、基板表面に金属化合物薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

成膜室内に有機金属化合物イオンを含む反応ガスを供給し、該成膜室内に設置された基板の主面上に金属膜または金属化合物膜を形成させる化学気相成長方法において、基板表面に垂直に磁力線が交わるように磁場を印加した状態で基板に対して斜めの方向から基板の垂直上方に位置する点に向けて有機金属化合物イオン流束を照射することを特徴とする有機金属化学気相成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 , C23C 16/18 , C23C 16/40 , H01L 21/31 , H01L 21/205

FI (5件)：

H01L 21/285 C , C23C 16/18 , C23C 16/40 , H01L 21/31 C , H01L 21/205

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