特許
J-GLOBAL ID：200903064321346620
磁気センサとその交番バイアス磁界印加方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-326720
公開番号（公開出願番号）：特開平10-170619
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 磁気センサとその磁気センサに交番バイアス磁界を印加する方法に関し、任意方向からの外部磁界に対しその方向と磁界強度を測定する。【解決手段】 磁性膜パターン24-1〜24-4に複数の導体層25-1〜25-4が積層され、内部磁化方向が直交する少なくとも一対のバーバーポール型磁気抵抗体パターン22-1〜22-4が設けられた磁気抵抗素子21と、磁気抵抗体パターン22-1〜22-4のそれぞれの内部磁化方向に交番バイアス磁界Hb-1, Hb-2を印加する交番磁界印加手段を具えた磁気センサ。交番バイアス磁界Hb-1, Hb-2の印加に際し磁界方向の各切替え毎に零磁界時間を設けた交番バイアス磁界の印加方法。
請求項（抜粋）：
磁性膜パターンに複数の導体層が積層され、内部磁化方向が直交する少なくとも一対のバーバーポール型磁気抵抗体パターンが設けられた磁気抵抗素子と、該一対の磁気抵抗体パターンのそれぞれの内部磁化方向に交番バイアス磁界を印加する交番磁界印加手段、を備えたことを特徴とする磁気センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 33/06 R
, H01L 43/08 B
