特許

J-GLOBAL ID：200903064324975610

半導体装置

発明者： 松崎 一夫
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258239
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107273
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】スイッチング速度の高速化と低損失とを両立できる半導体装置を提供する。【解決手段】表面層に第一の第一導電型領域、第二導電型チャネル形成領域および第二の第一導電型半導体領域を連続して形成し、該第二導電型チャネル形成領域表面上にゲート絶縁膜を形成する半導体基板と電界放出部とを形成し、前記半導体基板と共に真空領域を形成する電界放出基板とからなり、前記電界放出部から放出された電子が前記ゲート絶縁膜に照射するように前記ゲート絶縁膜と前記電界放出部とが対向して形成する。

請求項（抜粋）：

表面層に第一の第一導電型領域、第二導電型チャネル形成領域および第二の第一導電型半導体領域が連続して形成され、該第二導電型チャネル形成領域表面上にゲート絶縁膜が形成された半導体基板と、電界放出部が形成され、前記半導体基板と共に真空領域を形成する電界放出基板とからなり、前記電界放出部から放出された電子が前記ゲート絶縁膜に照射されるように前記ゲート絶縁膜と前記電界放出部とが対向して形成された、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01J 19/24 ,  H01J 19/38 ,  H01J 21/10 ,  H01L 29/06

FI (5件)：

H01L 29/78 301 J ,  H01J 19/24 ,  H01J 19/38 ,  H01J 21/10 ,  H01L 29/06