特許

J-GLOBAL ID：200903064328173364

窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 幡 俊雄 ,  筆田 麻祐子 ,  木村 大覚
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-272014
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086839
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】 発光素子内に電流阻止構造または電流狭窄構造を容易に作製でき、信頼性の高い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 Si(シリコン)基板上にSi基板側から順に積層されたp型窒化物半導体層、発光層そしてn型窒化物半導体層を含み、Si基板はp型窒化物半導体層の一部を露出するように部分的に除去されており、このp型窒化物半導体層の露出領域上にp型電極が形成されている。

請求項（抜粋）：

Si(シリコン)基板上にSi基板側から順に積層されたp型窒化物半導体層、発光層そしてn型窒化物半導体層を含み、前記Si基板は前記p型窒化物半導体層の一部を露出するように部分的に除去されており、前記p型窒化物半導体層の前記露出領域上にp型電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E

Fターム (16件)：

5F041AA03 ,  5F041AA43 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15