特許
J-GLOBAL ID:200903064340718325

透明導電体の表面処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大川 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-143423
公開番号(公開出願番号):特開平11-339573
出願日: 1998年05月25日
公開日(公表日): 1999年12月10日
要約:
【要約】【課題】疎水性の有機質薄膜を透明導電体の表面上に密着性良く形成することを容易にする透明導電体の表面処理方法を提供する。【解決手段】 本発明の透明導電体の表面処理方法は、表面に疎水性の有機質薄膜3が形成される透明導電体2の表面処理方法であって、該表面に結合している不純物に化学反応を起こさせて該表面から該不純物を除去した後、該表面を疎水性の炭化水素基を有する有機化合物で処理することを特徴とする。
請求項(抜粋):
表面に疎水性の有機質薄膜が形成される透明導電体の表面処理方法であって、該表面に結合している不純物に化学反応を起こさせて該表面から該不純物を除去した後、該表面を疎水性の炭化水素基を有する有機化合物で処理することを特徴とする透明導電体の表面処理方法。
IPC (3件):
H01B 13/00 503 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/28
FI (3件):
H01B 13/00 503 B ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/28

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