特許

J-GLOBAL ID：200903064341349897

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 菊池 卓 ,  宇田 隆之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-041513
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236560
出願日： 1995年03月01日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 素子搭載基板の信頼性の向上を図る樹脂封止形の半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【構成】 半導体素子1を搭載する素子搭載基板2と、素子搭載基板2上に設けられかつ樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクランプ部に接触するダム部材である緩衝部材4とからなるPGAタイプの半導体集積回路装置であり、素子搭載基板2の裏面にはその内部配線と接続された複数個のリードピン5が取り付けられ、半導体素子1およびその周辺部の樹脂封止時に、前記金型による圧力が緩衝部材4を介して素子搭載基板2に加えられる。

請求項（抜粋）：

樹脂封止形の半導体集積回路装置であって、半導体素子を搭載する素子搭載基板と、前記素子搭載基板上に設けられ、かつ樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクランプ部に接触する緩衝部材とを有し、樹脂封止時の前記金型による圧力が前記緩衝部材を介して前記素子搭載基板に加えられることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 21/56 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  H01L 23/28

FI (4件)：

H01L 21/56 T ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  H01L 23/28 Z