特許
J-GLOBAL ID：200903064341734340
ホトリソグラフィーのパターン検証方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-354000
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181156
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】 ウェハの表面構造に起因するレジストパターンの欠陥を検出するパターン検証方法を提供し、これによって半導体製品の信頼性を向上させる。【構成】 ホトリソグラフィーによってウェハ1表面に形成されるレジストのパターン欠陥を検出するパターン検証方法であって、ウェハ1表面のレジストに、露光エネルギーEと焦点位置Fとをファクターとした異なる露光条件で露光を行った複数のシミュレーションパターンを形成し、この複数のシミュレーションパターンの各々を比較検査することによって、レジストのパターン欠陥を検出する。
請求項（抜粋）：
ホトリソグラフィーによってウェハ表面に形成されるレジストのパターン欠陥を検出するパターン検証方法であって、前記ウェハ表面のレジストに、露光エネルギーと焦点位置とをファクターとした異なる露光条件で露光を行った複数のシミュレーションパターンを形成し、前記複数のシミュレーションパターンの各々を比較検査することによって、レジストのパターン欠陥を検出することを特徴とするパターン検証方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, G03F 7/207
, H01L 21/66
H01L 21/30 301 V
, H01L 21/30 341 V
