特許

J-GLOBAL ID：200903064345310863

プラズマCVD装置のクリーニング方法

発明者： 石川 道夫 ,  谷 典明 ,  中村 久三 ,  伊東 一幸 ,  橋本 征典 ,  戸川 淳 ,  一山 政博 ,  米崎 武
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-289931
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140342
出願日： 1992年10月28日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 プラズマCVD装置のエッチングクリーニングを短時間で行なう方法を提供する【構成】 プラズマCVD装置の真空処理室2内の構成部材のクリーニングを反応性ガスの代わりにCF4等のエッチングガスを導入してプラズマを発生させ乍ら行なうようにした方法に於いて、該真空処理室内のプラズマにさらされる電極13等の部材の少なくとも表面をニッケルその他の該反応性ガスに対する耐蝕性のある材料で覆い、これらの部材を含む該真空処理室内が200°C以上の加熱状態で該エッチングガスを導入してプラズマを発生させ乍ら行なうようにした【効果】 迅速にプラズマクリーニングを終了することができ、装置稼働効率を高めることができる

請求項（抜粋）：

排気系を備えたプラズマCVD装置の真空処理室内に互いに対向する電極を設け、その一方の電極に直流もしくは交流の電源を接続し、他方の電極に基板を装着してこれを該一方の電極に対して電位差を与え、該真空処理室内にSi2H6等の反応性ガスを導入しながらプラズマを発生させて該基板に成膜した後、該真空処理室内の電極等の構成部材の部材の表面のクリーニングを該反応性ガスの代わりにCF4等のエッチングガスを導入してプラズマを発生させ乍ら行なうようにしたプラズマCVD装置のクリーニング方法に於いて、該真空処理室内のプラズマにさらされる電極等の部材の少なくとも表面をニッケルその他の該反応性ガスに対する耐蝕性のある材料で覆い、これらの部材を含む該真空処理室内が200°C以上の加熱状態で該エッチングガスを導入してプラズマを発生させ乍ら行なうようにしたことを特徴とするプラズマCVD装置のクリーニング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-089672
  
• 特開昭59-184527